Исследователям из Токийского университета (University of Tokyo) удалось разработать так называемую органическую флеш-память. Изобретение японских ученых представляет собой энергонезависимую память, изготовленную из органических материалов и при этом сохраняющую ту же внутреннюю структуру, что и стандартная NAND память, а также способную достигать того же уровня плотности.

При этом уровень напряжения электрического тока, потребляемого органической флеш-памятью в процессе стирания и чтения ранее записанной информации, может составлять всего 6 и 1 вольт соответственно. В то же время число циклов стирания и записи данных может достигать нескольких тысяч, что говорит о стабильности и надежности инновационной разработки.

Кроме того, по данным японских исследователей, производство такой органической флеш-памяти окажется гораздо дешевле ее традиционного кремниевого аналога. Это позволит не только снизить цены на всевозможные твердотельные накопители при увеличении их емкости, но и открыть для флеш-памяти новые сферы применения. К примеру, органическая флеш-память может найти применение в электронных книгах, сенсорных датчиках и т. д.