Компании Intel и Micron Technology объявили о том, что им впервые в отрасли удалось преодолеть рубеж в 40 нанометров при производстве микрочипов флэш-памяти NAND. Специалисты Intel и Micron создали образец чипа NAND, изготовленный по 34-нанометровой технологии.
Новый микрочип флэш-памяти выполнен по методике многоуровневых ячеек и имеет емкость 32 Гбит. Площадь чипа составляет 172 квадратных миллиметра, изготовлен он на производственной линии IM Flash Technologies (IMFT), совместном предприятии Intel и Micron.

Пробные поставки 34-нанометровых чипов NAND компании Intel и Micron планируют начать в следующем месяце, тогда как массовый выпуск запланирован на вторую половину текущего года. При производстве микрочипов емкостью в 32 Гбит будут применяться 300-миллиметровые пластины. Одной такой подложки хватит для изготовления приблизительно 1,6 терабайта памяти.

Одной из основных сфер применения памяти NAND, произведенной с применением 34-нанометрового техпроцесса, станут твердотельные накопители (SSD). Intel, как ожидается, будет предлагать диски SSD для портативных компьютеров, построенных на базе платформы Centrino 2. На начальном этапе емкость твердотельных накопителей Intel составит 80 Гб, а доступны они будут в форм-факторах 2,5 дюйма и 1,8 дюйма. До конца четвертого квартала Intel, предположительно, представит твердотельный диск, вмещающий 160 Гб данных. А в 2009 году должны появиться накопители SSD объемом в 250 Гб и более.