Компания IBM объявила об успешной разработке прототипа самого компактного и быстрого в полупроводниковой индустрии чипа динамической памяти с высочайшей плотностью заполнения. Он выполнен по 32-нанометровой технологии SOI (кремний на диэлектрической подложке). Такой модуль, по заявлению производителя, обеспечивает высокую скорость, надежность и, наоборот, невысокое энергопотребление и подходит для широкого спектра устройств от серверов до потребительской электроники.

IBM SOI позволяет на 30% увеличить производительность чипа и на 40% снизить его энергопотребление. Тестовый модуль eDRAM, созданный IBM, обладает самой маленькой в индустрии ячейкой и обеспечивает лучшие плотность, скорость и емкость, чем у обычной 32 и 22-нанометровой памяти SRAM. Кроме того, у модулей памяти, выполненных по технологии IBM SOI, очень небольшие задержки - менее 2 наносекунд, а в режиме ожидания они потребляют в четыре раза меньше энергии по сравнению с существующими решениями. IBM планирует продемонстрировать 32 и 22-нанометровую память eDRAM на International Electron Devices Meeting в декабре.