Сделать стартовой Добавить в избранное
 
 
Панель управления
логин :  
пароль :  
   
   
Регистрация
Напомнить пароль?
Главная страница » Компьютеры » Железо » 16 Гбит флэш-памяти на основе 56-нм техпроцесса от SanDisk и Toshiba
Навигация по сайту
\2

Запретная зона
 
Расширенный поиск
Популярные статьи
» Организация и ее руководитель привлечены к администрати ...
» Помощник Юго-Западной транспортного прокурора выступила ...
» В Москве возбуждено уголовное дело в отношении граждани ...
» Работники транспортных прокуратур совместно с воспитанн ...
» Московской межрегиональной транспортной прокуратурой ор ...
» Вопросы профилактики травматизма обсуждены на совещании ...
» Калужской транспортной прокуратурой на постоянной основ ...
» Калужской транспортной прокуратурой проведена проверка ...
» Калужской транспортной прокуратурой при проведении пров ...
» Калужской транспортной прокуратурой при осуществлении н ...
Наш опрос
Интересен ли вам тотализатор где принимаются ставки на курсы валют?

Да
Только, если у организатора безупречная репутация
Не интересен, предпочитаю казино
Не интересен по другим причинам
Вообще не играю ни на бирже ни на форексе и избегаю азартных игр
Не интересен потому, что нет денег, были бы деньги был бы очень интересен
Календарь
«    Февраль 2007    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728 
Архив новостей
Рекламные объявления
| |
Регистрация доменов. Хостинг.
Компьютеры » Железо : 16 Гбит флэш-памяти на основе 56-нм техпроцесса от SanDisk и Toshiba
 
Компании SanDisk и Toshiba сообщают о новом достижении в области производства чипов флэш-памяти – создании чипа флэш-памяти NAND ёмкостью 16 Гбит с использованием 56-нм технологического процесса. Согласно информации от производителей, разработчики использовали технологию создания многоуровневой ячейки памяти (Multi-Level-Cell – MLC). Это позволило обеспечить не только большую ёмкость чипов, но и высокую скорость чтения/записи информации.

16 Гбит флэш-памяти на основе 56-нм техпроцесса от SanDisk и Toshiba


На данный момент инженеры SanDisk и Toshiba изготовили лишь первые образцы 56-нм чипов NAND-памяти, но уже в первом квартале 2007 года начнётся массовое производство микросхем, позволяющих хранить до 8 Гбит данных. Несколько позже, а именно во втором квартале 2007 года, планируется начать массовый выпуск и 16-гигабитных чипов флэш-памяти.

Сообщается, что новинки будут изготавливаться на мощностях фабрики Fab 3, принадлежащей японской Toshiba, из 300-мм кремниевых пластин. В конце 2007 года к процессу подключат ещё одно предприятие, также принадлежащий Toshiba завод Fab 4, что позволит заметно повысить объёмы выпуска 56-нм чипов флэш-памяти.

Представленные решения будут использоваться не только в производстве сменных карт памяти форматов Secure Digital, CompactFlash, и др., но и в изготовлении твердотельных накопителей, которые в массовом количестве уже были представлены на прошедшей выставке CES 2007. Таким образом, можно ожидать уже в следующем году заметного снижения цен на SSD-накопители, которые благодаря новым достижениям японских инженеров увеличат свою ёмкость или станут более доступными для потребителей.
 
 
 
 
  {related-news}  
 
 (голосов: 0)
Комментарии (0)  Распечатать
 
 
Информация
 
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.